最新 功率器件热设计基础（四）
功率半导体热设计是成功IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只要把握功率半导体的热设计基础常识，才干成功准确热设计，提高功率器件的应用率，降落系统老本，并保障系统的牢靠性。
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最新 功率器件热设计基础（三）
功率半导体热设计是成功IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只要把握功率半导体的热设计基础常识，才干成功准确热设计，提高功率器件的应用率，降落系统老本，并保障系统的牢靠性。
最新 功率器件的热设计基础（二）
功率半导体热设计是成功IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只要把握功率半导体的热设计基础常识，才干成功准确热设计，提高功率器件的应用率，降落系统老本，并保障系统的牢靠性。
最新 功率器件热设计基础（一）
功率半导体热设计是成功IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只要把握功率半导体的热设计基础常识，才干成功准确热设计，提高功率器件的应用率，降落系统老本，并保障系统的牢靠性。
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